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氮化镓是充电材料吗?

 2021-10-22

   氮化镓 (GaN)是一种新型的半导体材料,自身具有高禁带、高电压、高功率、高带宽、耐高温等特点,被誉为第三代半导体材料。早期广泛应用在军事国防、航天、汽车、通信等领域。随着技术的...

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氮化镓射频芯片的技术难点在哪里?

 2021-10-15

1.衬底材料   Si衬底上 氮化镓 不仅拥有良好的热导率和较低的成本,成为主流的GaN外延片。但由于Si和GaN之间存在着晶格失配和热失配,生长的晶体质量会严重受到位错和应力的影响。因此如何调...

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氮化镓外延片技术

 2021-10-08

1.GaN on Si   Si是第一代半导体材料,使用硅作为GaN衬底有着晶体质量高、尺寸大、成本低、导电性好、热稳定性好等优点。但是在Si衬底上生长GaN较为困难,因为这两者之间的热失配和晶格失配很...

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氮化镓的激光剥离技术

 2021-09-24

  由于自然界中不存在天然 氮化镓 化合物,于是便需要我们通过异质外延的方式来生长GaN晶体。如此便涉及到从何将生长的GaN晶体从衬底上剥离出来,本文介绍一种激光剥离的工艺技术。   以在...

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氮化镓器件的技术应用

 2021-09-18

   氮化镓 (GaN)作为第三代高大禁宽的半导体材料,自身具有高禁带、高电压、高功率、高带宽的特点。因此我们利用氮化镓可以获得具有更大的宽带、更高的放大器增益、更高能效的半导体器件。...

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氮化镓半导体的物理特性

 2021-09-15

   氮化镓 (GaN)是一种氮和镓的无机化合物,是近年来第三代半导体的核心材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。与硅器件相比,GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞...

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