公司新闻-氮化镓-氮化镓流片代工「硅时代」GaN流片代工

2021-10-15

1.衬底材料　　Si衬底上氮化镓不仅拥有良好的热导率和较低的成本，成为主流的GaN外延片。但由于Si和GaN之间存在着晶格失配和热失配，生长的晶体质量会严重受到位错和应力的影响。因此如何调...

2021-10-08

1.GaN on Si 　　Si是第一代半导体材料，使用硅作为GaN衬底有着晶体质量高、尺寸大、成本低、导电性好、热稳定性好等优点。但是在Si衬底上生长GaN较为困难，因为这两者之间的热失配和晶格失配很...

2021-09-18

　　氮化镓（GaN）作为第三代高大禁宽的半导体材料，自身具有高禁带、高电压、高功率、高带宽的特点。因此我们利用氮化镓可以获得具有更大的宽带、更高的放大器增益、更高能效的半导体器件。...

2021-09-10

　　氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，特性是耐高温、功率密度大，基于这些特性，所以氮化镓基功率器件更为优越，氮化镓快充相比传统的充电器，具有产品体积更小、重量更轻、效率更高、发...

2021-09-08

氮化镓代工是否将会成为代工厂之间新的竞争点？去年年初意法半导体宣布与台积电携手合作，加快氮化镓（GaN）工艺技术的开发以及氮化镓分立和集成器件的供货，意法半导体创新的战略性氮化镓产...

2021-09-08

现在市场上大家都在讨论的氮化镓（GaN）充电头到底是什么？传统充电器，体积大，数量种类多，携带不方便，氮化镓充电器的优势就在于体积小，功率大，可以使用在手机、笔记本等多种不同充电...

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