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氮化镓射频芯片的技术难点在哪里?

 2021-10-15

1.衬底材料   Si衬底上 氮化镓 不仅拥有良好的热导率和较低的成本,成为主流的GaN外延片。但由于Si和GaN之间存在着晶格失配和热失配,生长的晶体质量会严重受到位错和应力的影响。因此如何调...

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氮化镓外延片技术

 2021-10-08

1.GaN on Si   Si是第一代半导体材料,使用硅作为GaN衬底有着晶体质量高、尺寸大、成本低、导电性好、热稳定性好等优点。但是在Si衬底上生长GaN较为困难,因为这两者之间的热失配和晶格失配很...

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氮化镓器件的技术应用

 2021-09-18

   氮化镓 (GaN)作为第三代高大禁宽的半导体材料,自身具有高禁带、高电压、高功率、高带宽的特点。因此我们利用氮化镓可以获得具有更大的宽带、更高的放大器增益、更高能效的半导体器件。...

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哪些品牌入局氮化镓快充?

 2021-09-10

   氮化镓 (GaN)作为第三代半导体材料,特性是耐高温、功率密度大,基于这些特性,所以氮化镓基功率器件更为优越,氮化镓快充相比传统的充电器,具有产品体积更小、重量更轻、效率更高、发...

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氮化镓代工将会成为代工厂之间新的竞争点?

 2021-09-08

氮化镓代工 是否将会成为代工厂之间新的竞争点? 去年年初意法半导体宣布与台积电携手合作,加快氮化镓(GaN)工艺技术的开发以及氮化镓分立和集成器件的供货,意法半导体创新的战略性氮化镓产...

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氮化镓充电头是什么?

 2021-09-08

现在市场上大家都在讨论的 氮化镓 (GaN) 充电头到底是什么? 传统充电器,体积大,数量种类多,携带不方便,氮化镓充电器的优势就在于体积小,功率大,可以使用在手机、笔记本等多种不同充电...

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