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氮化镓GaN外延片的技术流程

时间:2021-09-03 14:15:15

  氮化镓GaN外延片,是指硅衬底或者蓝宝石衬底上面进行氮化镓外延。

  氮化镓GaN外延片工艺复杂,生长工艺包含很多步骤,高温烘烤,在氢气中加热,进行衬底表面清洁,然后温度降低做衬底表面沉积缓冲层生长,然后进行多种掺杂,之后在进行退货,获得氮化镓外延薄膜。

  以上工艺流程只是基于较为简单的氮化镓LED量子阱结构。不同工艺需求,氮化镓外延片工艺流程也不同。