首页 > 新闻中心 > 行业新闻

氮化镓的激光剥离技术

时间:2021-09-24 17:04:27

  由于自然界中不存在天然氮化镓化合物,于是便需要我们通过异质外延的方式来生长GaN晶体。如此便涉及到从何将生长的GaN晶体从衬底上剥离出来,本文介绍一种激光剥离的工艺技术。
  以在蓝宝石上生长氮化镓晶体为例,激光剥离的主要原理是:用一定波长的辐照激光(该激光能量介于蓝宝石和GaN之间,例如由KrF紫外激光器发射的波长为248nm,脉冲宽度为38ns的脉冲激光)从蓝宝石一面扫描整个样品,界面处的GaN由于受到了激光辐射,热分解成Ga和N2。再将样品加热至29℃以上(Ga熔点为29℃),则可以将GaN薄膜和衬底分开。
  具体方法及示意图如下:
1.选择1个Si片作为GaN的支撑材料
2.将Si粘到GaN上形成Si/GaN/Sapphire结构
3.用一束脉冲激光从蓝宝石面扫描整个样品
4.激光辐照后,加热衬底至29℃以上
5.有机溶剂清洗剥离开Si片和GaN薄膜