尺寸 4/ 6/8 主要特点 高击穿电压(垂直击穿电压600V)和极低的缓...

尺寸 2/3/4/6 主要特点 极低的缓冲区漏电流 良好的均匀性和重复...

尺寸 4/6 主要特点 极低的缓冲区漏电流 高电子迁移率2200cm/Vs ...

尺寸 2/4/6 主要特点 高击穿电压(2000V)和极低的缓冲区泄漏电流...

尺寸 4/ 6/8 主要特点 良好的晶体质量 良好的波长均一性 在大尺...

尺寸 2/ 4/6 主要特点（蓝光/ 绿光 LED结构） 良好的晶体质量 高...

尺寸 2 主要特点 GaN 厚度 20um 背景浓度 5E15cm-3

尺寸 苏州硅时代电子科技有限公司可以根据客户的实际需求提供定...