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光刻

产品详情
接触式光刻 最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
步进式光刻 投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围<22.5*22.5mm
电子束光刻 最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范围<直径75mm
双面对准光刻 最小图形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm
匀胶/显影 正胶:50nm~20μm,负胶:50~400nm
喷胶 单次厚度<2μm
热板/烘箱 热板温度<180℃,烘箱温度<350℃


案例展示

纳米线@PMMA CD 8nm  二维光栅 with CD 50nm 

变直径纳米盘 误差±5nm 

Φ100um 光波导 线宽700nm