氮化镓GaN流片
苏州硅时代电子科技有限公司
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外延生长·掺杂
产品详情
金属有机物化学气相沉积
GaN,GaAsGaN
化学气相沉积
SIC
离子注入
B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高温氧化
1150℃
高温扩散/退火
900℃-1100℃
快速退火
150℃-1000℃
案例展示
Diamond-coated wafers
晶圆圆片长膜、图形化