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外延生长·掺杂

产品详情
金属有机物化学气相沉积 GaN,GaAsGaN
化学气相沉积 SIC
离子注入 B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高温氧化 1150℃
高温扩散/退火 900℃-1100℃
快速退火 150℃-1000℃


案例展示

Diamond-coated wafers 晶圆圆片长膜、图形化