| 金属有机物化学气相沉积 | GaN，GaAsGaN |
| 化学气相沉积 | SIC |
| 离子注入 | B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si |
| 高温氧化 | 1150℃ |
| 高温扩散/退火 | 900℃-1100℃ |
| 快速退火 | 150℃-1000℃ |
案例展示
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| Diamond-coated wafers | 晶圆圆片长膜、图形化 |
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