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器件封装

产品详情
倒装键合 芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,温度<450℃ 精度:±3μm,压力<100kg,2寸晶圆对晶圆键合
晶圆键合 阳极键合、共晶键合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、胶键合(BCB,SU8,键合专用胶),对准精度±5μm
点胶 工作范围≤300*300mm,胶量控制:容积式和气压式,胶水黏度<50kCPS,单次胶量<0.16900ml,时间设置范围<9.999sec
贴片 银浆、焊料
引线 球形焊、楔形焊;Au线,Al线
回流炉 真空:2mbar,温度<450℃±0.05℃
平行封焊 各类金属管壳,位置精度:±0.0381mm,压力<5kg
TSV(硅通孔)工艺 1、通孔的形成;2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积;3、电镀填充,去除和再布线;4、晶圆减薄;5、键合、划片
TGV(玻璃通孔工艺) 可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。


案例展示

底层管芯与顶层管芯堆叠连接  Cu-Cu Metal Diffusion Bond

TSV(Cu&Sn键合)Process 

Ultra High Density TGV For MEMS