倒装键合 | 芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,温度<450℃ 精度:±3μm,压力<100kg,2寸晶圆对晶圆键合 |
晶圆键合 | 阳极键合、共晶键合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、胶键合(BCB,SU8,键合专用胶),对准精度±5μm |
点胶 | 工作范围≤300*300mm,胶量控制:容积式和气压式,胶水黏度<50kCPS,单次胶量<0.16900ml,时间设置范围<9.999sec |
贴片 | 银浆、焊料 |
引线 | 球形焊、楔形焊;Au线,Al线 |
回流炉 | 真空:2mbar,温度<450℃±0.05℃ |
平行封焊 | 各类金属管壳,位置精度:±0.0381mm,压力<5kg |
TSV(硅通孔)工艺 | 1、通孔的形成;2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积;3、电镀填充,去除和再布线;4、晶圆减薄;5、键合、划片 |
TGV(玻璃通孔工艺) | 可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。 |
案例展示
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底层管芯与顶层管芯堆叠连接 | Cu-Cu Metal Diffusion Bond |
TSV(Cu&Sn键合)Process |
Ultra High Density TGV For MEMS |