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器件封装

产品详情
倒装键合 芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度<2mm，温度<450℃ 精度：±3μm，压力<100kg，2寸晶圆对晶圆键合
晶圆键合 阳极键合、共晶键合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）、胶键合（BCB，SU8，键合专用胶)，对准精度±5μm
点胶 工作范围≤300*300mm，胶量控制：容积式和气压式，胶水黏度<50kCPS，单次胶量<0.16900ml，时间设置范围<9.999sec
贴片 银浆、焊料
引线 球形焊、楔形焊；Au线，Al线
回流炉 真空：2mbar，温度<450℃±0.05℃
平行封焊 各类金属管壳，位置精度：±0.0381mm，压力<5kg
TSV（硅通孔）工艺 1、通孔的形成；2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积；3、电镀填充，去除和再布线；4、晶圆减薄；5、键合、划片
TGV（玻璃通孔工艺） 可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。


案例展示

底层管芯与顶层管芯堆叠连接  Cu-Cu Metal Diffusion Bond

TSV（Cu&Sn键合）Process 

 Ultra High Density TGV For MEMS