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GaN-on-Si for Power

产品详情
尺寸 4"/ 6"/8"
主要特点 • 高击穿电压(垂直击穿电压>600V)和极低的缓冲区漏电流
• 良好的均匀性和重复性
• 高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻