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GaN-on-Sapphire for RF

产品详情
尺寸 2"/4"/6"
主要特点 • 高击穿电压(>2000V)和极低的缓冲区泄漏电流(~nA/mm)
• 良好的均匀性和再现性
• 高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻